• 측정온도 750 -3000 °C ,파장 0.95 /1.05 µm ,거리 400...∞ , 비율 150 :1 • Crystal Growing (단결정 성장-Ingot) 에 적합한 정확하고 안정적인 측정을 위해 개발된 모델 - PA 44 UF 4 / 5 special calibration for the production of crystals - PA 44 UF 7 special calibration for the production of silicon carbide
• 높은 도량형 분해능을 위한 하이브리드 신호 평가
• 자기 발열을 최소한으로 줄여 장기적인 안정성이 높음
• 초점 광학 장치를 통해 정확한 거리 조절 가능
• 신호처리 : Analogue output 및 USB / RS4858 Interface * 적용분야 : 실리콘, 실리콘 카바이드, 다이아몬드, 광학
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